Samsung’un 20nm mühendisliğiyle inşa edilmiş yeni DDR3 RAM’lerinden bolca üretilecek.
Samsung, 4 GB’lık DDR3 RAM’leri için seri üretime geçeceğini resmi olarak duyurdu. Yeni DDR3 RAM’ler, Samsung’un 20nm mühendisliğiyle inşa edilecek. Açıklamalara göre yeni RAM’ler, batırma ArF litografi teknolojiyle üretiliyor.
Güney Kore’li teknoloji devi, ufak çaplı DRAM işlemlerinin, NAND Flash bellek üretiminden daha zor olduğunu söylüyor. NAND Flash bellekler, her bir hücre için transistör gerektiriyor. DRAM’in de transistöre ihtiyacı var. Ancak belli noktalara yerleştirilen kapasitörler ile birbirlerine bağlanabiliyorlar.
Samsung DRAM üretimini 4 GB model ile sınırlayacak. Açıklamalara göre yeni modül sayesinde %25 daha fazla enerji tasarrufu sağlanacak. Yani hemen hemen 25nm teknolojisi ile eşdeğerde olacak.
